2024年の電子展の聴衆のための指示

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30209142SCR586D3TL1絵LAPIS Semiconductor

2SCR586D3TL1

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規格
  • 部品型番
    2SCR586D3TL1
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    2SCR586D3TL1.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    80V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    300mV @ 100mA, 2A
  • トランジスタ型式
    NPN
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-252
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    10W
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 他の名前
    2SCR586D3TL1TR
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    10 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    200MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 5A 200MHz 10W Surface Mount TO-252
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    120 @ 500mA, 3V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    1µA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
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