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203389IPB80N06S209ATMA1絵International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB80N06S209ATMA1

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規格
  • 部品型番
    IPB80N06S209ATMA1
  • メーカー/ブランド
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    IPB80N06S209ATMA1.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    4V @ 125µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    PG-TO263-3-2
  • シリーズ
    OptiMOS™
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    8.8 mOhm @ 50A, 10V
  • 電力消費（最大）
    190W (Tc)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 他の名前
    IPB80N06S2-09
    IPB80N06S2-09-ND
    IPB80N06S209ATMA1TR
    SP000218741
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    2360pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    80nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    55V
  • 詳細な説明
    N-Channel 55V 80A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    80A (Tc)

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説明: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

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IPB80N06S2L06ATMA1

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説明: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

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