2024年の電子展の聴衆のための指示

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2388260IPB60R120P7ATMA1絵International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB60R120P7ATMA1

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規格
  • 部品型番
    IPB60R120P7ATMA1
  • メーカー/ブランド
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH TO263-3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード線付き/ RoHS準拠
  • 仕様書
    IPB60R120P7ATMA1.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    4V @ 410µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    D²PAK (TO-263AB)
  • シリーズ
    CoolMOS™ P7
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    120 mOhm @ 8.2A, 10V
  • 電力消費（最大）
    95W (Tc)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 他の名前
    IPB60R120P7
    IPB60R120P7ATMA1-ND
    IPB60R120P7ATMA1TR
    SP001664922
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    1544pF @ 400V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    36nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    650V
  • 詳細な説明
    N-Channel 650V 26A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
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説明: MOSFET N-CH 600V TO263-3

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説明: MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

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説明: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263

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説明: MOSFET N-CH TO263-3

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