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IPB025N10N3GE8187ATMA1

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規格
  • 部品型番
    IPB025N10N3GE8187ATMA1
  • メーカー/ブランド
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    IPB025N10N3GE8187ATMA1.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    3.5V @ 275µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    PG-TO263-7
  • シリーズ
    OptiMOS™
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    2.5 mOhm @ 100A, 10V
  • 電力消費（最大）
    300W (Tc)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • 他の名前
    IPB025N10N3 G E8187
    IPB025N10N3 G E8187-ND
    IPB025N10N3GE8187ATMA1TR
    SP000939338
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    14800pF @ 50V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    206nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    6V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    100V
  • 詳細な説明
    N-Channel 100V 180A 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
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IPB023N06N3GATMA1

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IPB021N06N3GATMA1

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説明: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

メーカー: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB020N10N5LFATMA1

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説明: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

メーカー: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB031NE7N3GATMA1

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説明: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

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説明: MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

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IPB029N06N3GE8187ATMA1

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説明: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

メーカー: International Rectifier (Infineon Technologies)
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