2024年の電子展の聴衆のための指示

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3115617IDB30E120ATMA1絵International Rectifier (Infineon Technologies)

IDB30E120ATMA1

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規格
  • 部品型番
    IDB30E120ATMA1
  • メーカー/ブランド
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    IDB30E120ATMA1.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    2.15V @ 30A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    1200V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    PG-TO263-3
  • 速度
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    243ns
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 他の名前
    IDB30E120ATMA1CT
  • 動作温度 - ジャンクション
    -55°C ~ 150°C
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    52 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Standard
  • 詳細な説明
    Diode Standard 1200V 50A (DC) Surface Mount PG-TO263-3
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    100µA @ 1200V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    50A (DC)
  • Vrと、F @キャパシタンス
    -

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V20PWM15HM3/I

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IDB30E60ATMA1

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V20PWM15-M3/I

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説明: DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263

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IDB23E60ATMA1

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説明: DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3

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在庫あり
RFQ
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