2024年の電子展の聴衆のための指示

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6341890BTS282Z E3230絵International Rectifier (Infineon Technologies)

BTS282Z E3230

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規格
  • 部品型番
    BTS282Z E3230
  • メーカー/ブランド
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    BTS282Z E3230.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2V @ 240µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    P-TO220-7-230
  • シリーズ
    TEMPFET®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    6.5 mOhm @ 36A, 10V
  • 電力消費（最大）
    300W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-220-7
  • 他の名前
    BTS282Z E3230-ND
    BTS282ZE3230
    BTS282ZE3230AKSA1
    BTS282ZE3230NK
    SP000012357
    SP000457996
  • 運転温度
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    4800pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    232nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    Temperature Sensing Diode
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4.5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    49V
  • 詳細な説明
    N-Channel 49V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole P-TO220-7-230
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    80A (Tc)

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