2024年の電子展の聴衆のための指示

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5878382BSF083N03LQ G絵International Rectifier (Infineon Technologies)

BSF083N03LQ G

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規格
  • 部品型番
    BSF083N03LQ G
  • メーカー/ブランド
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    BSF083N03LQ G.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.2V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    MG-WDSON-2, CanPAK M™
  • シリーズ
    OptiMOS™
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    8.3 mOhm @ 20A, 10V
  • 電力消費（最大）
    2.2W (Ta), 36W (Tc)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    3-WDSON
  • 他の名前
    BSF083N03LQ G-ND
    BSF083N03LQG
    SP000597834
  • 運転温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    1800pF @ 15V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    18nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4.5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    30V
  • 詳細な説明
    N-Channel 30V 13A (Ta), 53A (Tc) 2.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
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RFQ
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RFQ
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説明: 9V FEMALE SNAP 4-SIDED HVY-DUTY

メーカー: MPD (Memory Protection Devices)
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