2024年の電子展の聴衆のための指示

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3175902BSC046N02KS G絵Infineon Technologies

BSC046N02KS G

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規格
  • 部品型番
    BSC046N02KS G
  • メーカー/ブランド
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    BSC046N02KS G.pdf
  • ECADモデル
  • 電圧 - テスト
    4100pF @ 10V
  • 電圧 - ブレークダウン
    PG-TDSON-8
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    4.6 mOhm @ 50A, 4.5V
  • Vgs（最大）
    2.5V, 4.5V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • シリーズ
    OptiMOS™
  • RoHSステータス
    Tape & Reel (TR)
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    19A (Ta), 80A (Tc)
  • 偏光
    8-PowerTDFN
  • 他の名前
    BSC046N02KS G-ND
    BSC046N02KS GTR
    BSC046N02KSG
    BSC046N02KSGAUMA1
    SP000379666
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メーカーの標準リードタイム
    16 Weeks
  • 製造元の部品番号
    BSC046N02KS G
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    27.6nC @ 4.5V
  • IGBTタイプ
    ±12V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    1.2V @ 110µA
  • FET特長
    N-Channel
  • 拡張された説明
    N-Channel 20V 19A (Ta), 80A (Tc) 2.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    -
  • 説明
    MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    20V
  • 静電容量比
    2.8W (Ta), 48W (Tc)

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