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6752427IXFR200N10P絵IXYS Corporation

IXFR200N10P

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規格
  • 部品型番
    IXFR200N10P
  • メーカー/ブランド
    IXYS / Littelfuse
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    IXFR200N10P.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    5V @ 8mA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    ISOPLUS247™
  • シリーズ
    HiPerFET™, PolarP2™
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    9 mOhm @ 100A, 10V
  • 電力消費（最大）
    300W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    ISOPLUS247™
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    26 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    7600pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    235nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    100V
  • 詳細な説明
    N-Channel 100V 133A (Tc) 300W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    133A (Tc)

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