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5240227IXFN50N120SIC絵IXYS Corporation

IXFN50N120SIC

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規格
  • 部品型番
    IXFN50N120SIC
  • メーカー/ブランド
    IXYS / Littelfuse
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH
  • フリーステータス/ RoHS状態
  • 仕様書
    IXFN50N120SIC.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.2V @ 2mA
  • Vgs（最大）
    +20V, -5V
  • 技術
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SOT-227B
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    50 mOhm @ 40A, 20V
  • 電力消費（最大）
    -
  • パッケージ/ケース
    SOT-227-4, miniBLOC
  • 運転温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Chassis Mount
  • メーカーの標準リードタイム
    32 Weeks
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    1900pF @ 1000V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    100nC @ 20V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    20V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    1200V
  • 詳細な説明
    N-Channel 1200V 47A (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    47A (Tc)

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説明: MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B

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