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5279485IXFN200N10P絵IXYS

IXFN200N10P

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規格
  • 部品型番
    IXFN200N10P
  • メーカー/ブランド
    IXYS / Littelfuse
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    IXFN200N10P.pdf
  • 電圧 - テスト
    7600pF @ 25V
  • 電圧 - ブレークダウン
    SOT-227B
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    7.5 mOhm @ 500mA, 10V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • シリーズ
    Polar™
  • RoHSステータス
    Tube
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    200A
  • 偏光
    SOT-227-4, miniBLOC
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Chassis Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    8 Weeks
  • 製造元の部品番号
    IXFN200N10P
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    235nC @ 10V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    5V @ 8mA
  • FET特長
    N-Channel
  • 拡張された説明
    N-Channel 100V 200A 680W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    -
  • 説明
    MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    100V
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    680W (Tc)

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