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1803891IXFN110N85X絵IXYS Corporation

IXFN110N85X

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規格
  • 部品型番
    IXFN110N85X
  • メーカー/ブランド
    IXYS / Littelfuse
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    IXFN110N85X.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    5.5V @ 8mA
  • Vgs（最大）
    ±30V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SOT-227B
  • シリーズ
    HiPerFET™
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    33 mOhm @ 55A, 10V
  • 電力消費（最大）
    1170W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    SOT-227-4, miniBLOC
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Chassis Mount
  • メーカーの標準リードタイム
    24 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    17000pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    425nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    850V
  • 詳細な説明
    N-Channel 850V 110A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    110A (Tc)

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