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IS61NVF51236-7.5B3

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規格
  • 部品型番
    IS61NVF51236-7.5B3
  • メーカー/ブランド
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    IS61NVF51236-7.5B3.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    -
  • 電源電圧 -
    2.375 V ~ 2.625 V
  • 技術
    SRAM - Synchronous
  • サプライヤデバイスパッケージ
    165-TFBGA (13x15)
  • シリーズ
    -
  • パッケージ/ケース
    165-TBGA
  • 運転温度
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    18Mb (512K x 36)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    SRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 117MHz 7.5ns 165-TFBGA (13x15)
  • クロック周波数
    117MHz
  • アクセス時間
    7.5ns

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