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IS61NLF51236-6.5B3

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規格
  • 部品型番
    IS61NLF51236-6.5B3
  • メーカー/ブランド
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    IS61NLF51236-6.5B3.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    -
  • 電源電圧 -
    3.135 V ~ 3.465 V
  • 技術
    SRAM - Synchronous
  • サプライヤデバイスパッケージ
    165-TFBGA (13x15)
  • シリーズ
    -
  • パッケージ/ケース
    165-TBGA
  • 運転温度
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    18Mb (512K x 36)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    SRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 133MHz 6.5ns 165-TFBGA (13x15)
  • クロック周波数
    133MHz
  • アクセス時間
    6.5ns

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説明: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

メーカー: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61NLF51218A-7.5B3I

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説明: IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA

メーカー: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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説明: IC SRAM 9M PARALLEL 117MHZ

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IS61NLF51218B-7.5TQLI-TR

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説明: IC SRAM 9M PARALLEL 117MHZ

メーカー: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
在庫あり
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IS61NLF51218A-7.5TQLI-TR

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説明: IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

メーカー: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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