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IS61LPD25636A-200TQLI

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規格
  • 部品型番
    IS61LPD25636A-200TQLI
  • メーカー/ブランド
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.IS61LPD25636A-200TQLI.pdf
    2.IS61LPD25636A-200TQLI.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    -
  • 電源電圧 -
    3.135 V ~ 3.465 V
  • 技術
    SRAM - Synchronous
  • サプライヤデバイスパッケージ
    100-TQFP (14x20)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    100-LQFP
  • 運転温度
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    2 (1 Year)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    9Mb (256K x 36)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    SRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SRAM - Synchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 100-TQFP (14x20)
  • クロック周波数
    200MHz
  • アクセス時間
    3.1ns

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IS61LPD51236A-200TQLI

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IS61LPD25636A-200TQLI-TR

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IS61LPD51236A-200B3

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IS61LPD51236A-200B3I

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IS61LPD51236A-200TQI-TR

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説明: IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

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