2024年の電子展の聴衆のための指示

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IS43DR16320C-3DBLI-TR

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規格
  • 部品型番
    IS43DR16320C-3DBLI-TR
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    15ns
  • 電源電圧 -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • 技術
    SDRAM - DDR2
  • サプライヤデバイスパッケージ
    84-TWBGA (8x12.5)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    84-TFBGA
  • 運転温度
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    512Mb (32M x 16)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    DRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 333MHz 450ps 84-TWBGA (8x12.5)
  • クロック周波数
    333MHz
  • アクセス時間
    450ps
IS43DR16320C-3DBL-TR

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

メーカー: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
在庫あり
IS43DR16320D-25DBLI

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

メーカー: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
在庫あり
IS43DR16320D-3DBI

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

メーカー: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43DR16320C-3DBLI

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

メーカー: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43DR16320C-25DBL

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IS43DR16320C-3DBI

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IS43DR16320D-25DBL-TR

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IS43DR16320C-25DBLI

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IS43DR16320C-25DBI-TR

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