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859667IS42VM16160E-6BLI絵ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42VM16160E-6BLI

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規格
  • 部品型番
    IS42VM16160E-6BLI
  • メーカー/ブランド
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    IS42VM16160E-6BLI.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    -
  • 電源電圧 -
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 技術
    SDRAM - Mobile
  • サプライヤデバイスパッケージ
    54-TFBGA (8x8)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    54-TFBGA
  • 運転温度
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    256Mb (16M x 16)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    DRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SDRAM - Mobile Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.5ns 54-TFBGA (8x8)
  • クロック周波数
    166MHz
  • アクセス時間
    5.5ns

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