2024年の電子展の聴衆のための指示

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IS42S86400D-6TLI

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規格
  • 部品型番
    IS42S86400D-6TLI
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    -
  • 電源電圧 -
    3 V ~ 3.6 V
  • 技術
    SDRAM
  • サプライヤデバイスパッケージ
    54-TSOP II
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 運転温度
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    512Mb (64M x 8)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    DRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SDRAM Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TSOP II
  • クロック周波数
    166MHz
  • アクセス時間
    5.4ns
IS42S86400F-6TL

IS42S86400F-6TL

説明: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

メーカー: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
在庫あり
IS42S86400D-6TLI-TR

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

メーカー: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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メーカー: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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説明: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

メーカー: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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説明: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

メーカー: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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メーカー: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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