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5046055IS42RM16160E-75BLI絵ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42RM16160E-75BLI

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規格
  • 部品型番
    IS42RM16160E-75BLI
  • メーカー/ブランド
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    IS42RM16160E-75BLI.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    -
  • 電源電圧 -
    2.3 V ~ 3 V
  • 技術
    SDRAM - Mobile
  • サプライヤデバイスパッケージ
    54-TFBGA (8x8)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    54-TFBGA
  • 運転温度
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    256Mb (16M x 16)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    DRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SDRAM - Mobile Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 133MHz 6ns 54-TFBGA (8x8)
  • クロック周波数
    133MHz
  • アクセス時間
    6ns

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説明: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

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