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18897471V416S10YG絵IDT (Integrated Device Technology)

71V416S10YG

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規格
  • 部品型番
    71V416S10YG
  • メーカー/ブランド
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    71V416S10YG.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    10ns
  • 電源電圧 -
    3 V ~ 3.6 V
  • 技術
    SRAM - Asynchronous
  • サプライヤデバイスパッケージ
    44-SOJ
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 他の名前
    IDT71V416S10YG
    IDT71V416S10YG-ND
  • 運転温度
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    4Mb (256K x 16)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    SRAM
  • メーカーの標準リードタイム
    10 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 10ns 44-SOJ
  • ベース部品番号
    IDT71V416
  • アクセス時間
    10ns

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