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57917871V35761S200BGGI絵IDT (Integrated Device Technology)

71V35761S200BGGI

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規格
  • 部品型番
    71V35761S200BGGI
  • メーカー/ブランド
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.71V35761S200BGGI.pdf
    2.71V35761S200BGGI.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    -
  • 電源電圧 -
    3.135 V ~ 3.465 V
  • 技術
    SRAM - Synchronous
  • サプライヤデバイスパッケージ
    119-PBGA (14x22)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    119-BGA
  • 他の名前
    IDT71V35761S200BGGI
    IDT71V35761S200BGGI-ND
  • 運転温度
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    4.5Mb (128K x 36)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    SRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SRAM - Synchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 119-PBGA (14x22)
  • クロック周波数
    200MHz
  • ベース部品番号
    IDT71V35761
  • アクセス時間
    3.1ns

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