2024年の電子展の聴衆のための指示

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629083871T75602S100BG8絵IDT (Integrated Device Technology)

71T75602S100BG8

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規格
  • 部品型番
    71T75602S100BG8
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    -
  • 電源電圧 -
    2.375 V ~ 2.625 V
  • 技術
    SRAM - Synchronous ZBT
  • サプライヤデバイスパッケージ
    119-PBGA (14x22)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    119-BGA
  • 他の名前
    IDT71T75602S100BG8
    IDT71T75602S100BG8-ND
  • 運転温度
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    18Mb (512K x 36)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    SRAM
  • メーカーの標準リードタイム
    10 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 詳細な説明
    SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 100MHz 5ns 119-PBGA (14x22)
  • クロック周波数
    100MHz
  • ベース部品番号
    IDT71T75
  • アクセス時間
    5ns
71T75602S150BG

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説明: IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

メーカー: IDT (Integrated Device Technology)
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71T75602S100BGGI

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71T75602S133BGI

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メーカー: IDT (Integrated Device Technology)
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