2024年の電子展の聴衆のための指示

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1371816

7164S85TDB

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規格

部品型番

7164S85TDB
メーカー/ブランド

IDT (Renesas Electronics Corporation)
在庫数量

在庫あり
説明

IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP
フリーステータス/ RoHS状態

リード/ RoHS非対応
仕様書

1.7164S85TDB.pdf
2.7164S85TDB.pdf
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ

85ns
電源電圧 -

4.5 V ~ 5.5 V
技術

SRAM - Asynchronous
サプライヤデバイスパッケージ

28-CDIP
シリーズ

-
パッケージング

Tube
パッケージ/ケース

28-CDIP (0.300", 7.62mm)
他の名前

IDT7164S85TDB
IDT7164S85TDB-ND
運転温度

-55°C ~ 125°C (TA)
装着タイプ

Through Hole
水分感受性レベル（MSL）

1 (Unlimited)
メモリタイプ

Volatile
記憶容量

64Kb (8K x 8)
メモリインタフェース

Parallel
メモリ形式

SRAM
メーカーの標準リードタイム

10 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス

Contains lead / RoHS non-compliant
詳細な説明

SRAM - Asynchronous Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 85ns 28-CDIP
アクセス時間

85ns

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71658

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7164S70TDB

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