2024年の電子展の聴衆のための指示

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68154557164S20YG絵IDT (Integrated Device Technology)

7164S20YG

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規格
  • 部品型番
    7164S20YG
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    20ns
  • 電源電圧 -
    4.5 V ~ 5.5 V
  • 技術
    SRAM - Asynchronous
  • サプライヤデバイスパッケージ
    28-SOJ
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • 他の名前
    800-2454-5
    IDT7164S20YG
    IDT7164S20YG-ND
  • 運転温度
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    64Kb (8K x 8)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    SRAM
  • メーカーの標準リードタイム
    10 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SRAM - Asynchronous Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 20ns 28-SOJ
  • ベース部品番号
    IDT7164
  • アクセス時間
    20ns
7164S20TPG

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説明: IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP

メーカー: IDT (Integrated Device Technology)
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7164S20TPGI

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説明: IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP

メーカー: IDT (Integrated Device Technology)
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7164S20TDB

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メーカー: IDT (Integrated Device Technology)
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7164L55TDB

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メーカー: IDT (Integrated Device Technology)
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7164S25TDB

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メーカー: IDT (Integrated Device Technology)
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7164S20YG8

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7164S20DB

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メーカー: IDT (Integrated Device Technology)
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7164S25YGI

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7164S100DB

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7164S20YGI8

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