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71256S35TDB

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規格
  • 部品型番
    71256S35TDB
  • メーカー/ブランド
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC SRAM 256K PARALLEL 28CDIP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
    71256S35TDB.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    35ns
  • 電源電圧 -
    4.5 V ~ 5.5 V
  • 技術
    SRAM - Asynchronous
  • サプライヤデバイスパッケージ
    28-CDIP
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    28-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • 他の名前
    IDT71256S35TDB
    IDT71256S35TDB-ND
  • 運転温度
    -55°C ~ 125°C (TA)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    256Kb (32K x 8)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    SRAM
  • メーカーの標準リードタイム
    10 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 詳細な説明
    SRAM - Asynchronous Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 35ns 28-CDIP
  • アクセス時間
    35ns

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