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438225470V658S10BF絵IDT (Integrated Device Technology)

70V658S10BF

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規格
  • 部品型番
    70V658S10BF
  • メーカー/ブランド
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
    1.70V658S10BF.pdf
    2.70V658S10BF.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    10ns
  • 電源電圧 -
    3.15 V ~ 3.45 V
  • 技術
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • サプライヤデバイスパッケージ
    208-CABGA (15x15)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    208-LFBGA
  • 他の名前
    IDT70V658S10BF
    IDT70V658S10BF-ND
  • 運転温度
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    2Mb (64K x 36)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    SRAM
  • メーカーの標準リードタイム
    10 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 詳細な説明
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 10ns 208-CABGA (15x15)
  • ベース部品番号
    IDT70V658
  • アクセス時間
    10ns

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