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70V3579S6BCI8

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規格
  • 部品型番
    70V3579S6BCI8
  • メーカー/ブランド
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
    70V3579S6BCI8.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    -
  • 電源電圧 -
    3.15 V ~ 3.45 V
  • 技術
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • サプライヤデバイスパッケージ
    256-CABGA (17x17)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    256-LBGA
  • 他の名前
    IDT70V3579S6BCI8
    IDT70V3579S6BCI8-ND
  • 運転温度
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    1.125Mb (32K x 36)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    SRAM
  • メーカーの標準リードタイム
    10 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 詳細な説明
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 6ns 256-CABGA (17x17)
  • ベース部品番号
    IDT70V3579
  • アクセス時間
    6ns

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