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202221670T3589S200BC8絵IDT (Integrated Device Technology)

70T3589S200BC8

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規格
  • 部品型番
    70T3589S200BC8
  • メーカー/ブランド
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
    1.70T3589S200BC8.pdf
    2.70T3589S200BC8.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    -
  • 電源電圧 -
    2.4 V ~ 2.6 V
  • 技術
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • サプライヤデバイスパッケージ
    256-CABGA (17x17)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    256-LBGA
  • 他の名前
    IDT70T3589S200BC8
    IDT70T3589S200BC8-ND
  • 運転温度
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    4 (72 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    2Mb (64K x 36)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    SRAM
  • メーカーの標準リードタイム
    10 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 詳細な説明
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 200MHz 3.4ns 256-CABGA (17x17)
  • クロック周波数
    200MHz
  • ベース部品番号
    IDT70T3589
  • アクセス時間
    3.4ns

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