2024年の電子展の聴衆のための指示

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GSID200A120S3B1

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規格
  • 部品型番
    GSID200A120S3B1
  • メーカー/ブランド
    SemiQ
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    SILICON IGBT MODULES
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    GSID200A120S3B1.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    1200V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2V @ 15V, 200A
  • サプライヤデバイスパッケージ
    D3
  • シリーズ
    Amp+™
  • 電力 - 最大
    1595W
  • パッケージ/ケース
    D-3 Module
  • 運転温度
    -40°C ~ 150°C
  • NTCサーミスタ
    No
  • 装着タイプ
    Chassis Mount
  • メーカーの標準リードタイム
    8 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（量Cies）@ Vceは
    20nF @ 25V
  • 入力
    Standard
  • IGBTタイプ
    -
  • 詳細な説明
    IGBT Module 2 Independent 1200V 400A 1595W Chassis Mount D3
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    1mA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    400A
  • コンフィギュレーション
    2 Independent

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メーカー: Global Power Technologies Group
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説明: SILICON IGBT MODULES

メーカー: Global Power Technologies Group
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GSID100A120T2C1

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説明: SILICON IGBT MODULES

メーカー: Global Power Technologies Group
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GSID100A120S5C1

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説明: IGBT MODULE 1200V 170A

メーカー: Global Power Technologies Group
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GSID200A170S3B1

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説明: SILICON IGBT MODULES

メーカー: Global Power Technologies Group
在庫あり
RFQ
GSIB6A60-E3/45

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説明: DIODE 6A 600V GSIB-5S

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
RFQ
GSID150A120T2C1

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説明: SILICON IGBT MODULES

メーカー: Global Power Technologies Group
在庫あり
RFQ
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