2024年の電子展の聴衆のための指示

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3285504MURT10010絵GeneSiC Semiconductor

MURT10010

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規格
  • 部品型番
    MURT10010
  • メーカー/ブランド
    GeneSiC Semiconductor
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.MURT10010.pdf
    2.MURT10010.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1.3V @ 50A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    100V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    Three Tower
  • 速度
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    75ns
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    Three Tower
  • 他の名前
    MURT10010GN
  • 装着タイプ
    Chassis Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    4 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Standard
  • ダイオード構成
    1 Pair Common Cathode
  • 詳細な説明
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 100V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    25µA @ 50V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）（ダイオード当たり）
    100A (DC)

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