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5967475MBRT400150絵GeneSiC Semiconductor

MBRT400150

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規格
  • 部品型番
    MBRT400150
  • メーカー/ブランド
    GeneSiC Semiconductor
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE SCHOTTKY 150V 200A 3 TOWER
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    MBRT400150.pdf
  • 電圧 - ピーク逆（最大）
    Schottky
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    1 Pair Common Cathode
  • 電圧 - ブレークダウン
    Three Tower
  • 速度
    200A
  • シリーズ
    -
  • RoHSステータス
    Bulk
  • 逆回復時間（trrの）
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 偏光
    Three Tower
  • 装着タイプ
    Chassis Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    4 Weeks
  • 製造元の部品番号
    MBRT400150
  • 拡張された説明
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 150V 200A Chassis Mount Three Tower
  • ダイオード構成
    1mA @ 150V
  • 説明
    DIODE SCHOTTKY 150V 200A 3 TOWER
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    880mV @ 200A
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）（ダイオード当たり）
    150V
  • Vrと、F @キャパシタンス
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