2024年の電子展の聴衆のための指示

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MBR200200CTR

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規格
  • 部品型番
    MBR200200CTR
  • メーカー/ブランド
    GeneSiC Semiconductor
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    MBR200200CTR.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    920mV @ 100A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    200V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    Twin Tower
  • 速度
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    Twin Tower
  • 動作温度 - ジャンクション
    -55°C ~ 150°C
  • 装着タイプ
    Chassis Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    4 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Schottky
  • ダイオード構成
    1 Pair Common Anode
  • 詳細な説明
    Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 200V 100A Chassis Mount Twin Tower
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    3mA @ 200V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）（ダイオード当たり）
    100A

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