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6297356GKN26/08絵GeneSiC Semiconductor

GKN26/08

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規格
  • 部品型番
    GKN26/08
  • メーカー/ブランド
    GeneSiC Semiconductor
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 800V 25A DO4
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.GKN26/08.pdf
    2.GKN26/08.pdf
  • 電圧 - ピーク逆（最大）
    Standard
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    25A
  • 電圧 - ブレークダウン
    DO-4
  • シリーズ
    -
  • RoHSステータス
    Bulk
  • 逆回復時間（trrの）
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • もし、F @抵抗
    -
  • 偏光
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • 他の名前
    1242-1225
    GKN26/08GN
    GKN26/08GN-ND
    GKN2608
  • 装着タイプ
    Chassis, Stud Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    10 Weeks
  • 製造元の部品番号
    GKN26/08
  • 拡張された説明
    Diode Standard 800V 25A Chassis, Stud Mount DO-4
  • ダイオード構成
    4mA @ 800V
  • 説明
    DIODE GEN PURP 800V 25A DO4
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    1.55V @ 60A
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）（ダイオード当たり）
    800V
  • Vrと、F @キャパシタンス
    -40°C ~ 180°C

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