2024年の電子展の聴衆のための指示

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GBU4J

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規格
  • 部品型番
    GBU4J
  • メーカー/ブランド
    GeneSiC Semiconductor
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE BRIDGE 600V 4A GBU
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.GBU4J.pdf
    2.GBU4J.pdf
  • 電圧 - ピーク逆（最大）
    600V
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1.1V @ 4A
  • 技術
    Standard
  • サプライヤデバイスパッケージ
    GBU
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    4-SIP, GBU
  • 他の名前
    GBU4JGN
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    4 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Single Phase
  • 詳細な説明
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBU
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    5µA @ 600V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    4A

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説明: DIODE GPP 1PH 4A 400V GPP GBU

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GBU4G

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説明: DIODE BRIDGE 400V 4A GBU

メーカー: GeneSiC Semiconductor
在庫あり
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GBU4J-E3/51

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説明: DIODE GPP 1PH 4A 600V GPP GBU

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
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