2024年の電子展の聴衆のための指示

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607434GB01SLT12-220絵GeneSiC Semiconductor

GB01SLT12-220

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規格
  • 部品型番
    GB01SLT12-220
  • メーカー/ブランド
    GeneSiC Semiconductor
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    GB01SLT12-220.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1.8V @ 1A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    1200V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220AC
  • 速度
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    0ns
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-220-2
  • 他の名前
    1242-1125
    GB01SLT12220
  • 動作温度 - ジャンクション
    -55°C ~ 175°C
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    18 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Silicon Carbide Schottky
  • 詳細な説明
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 1A Through Hole TO-220AC
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    2µA @ 1200V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    1A
  • Vrと、F @キャパシタンス
    69pF @ 1V, 1MHz
  • ベース部品番号
    GB01SLT12

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