2024年の電子展の聴衆のための指示

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464355GA10JT12-263絵GeneSiC Semiconductor

GA10JT12-263

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規格
  • 部品型番
    GA10JT12-263
  • メーカー/ブランド
    GeneSiC Semiconductor
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS SJT 1200V 25A
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    GA10JT12-263.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    -
  • Vgs（最大）
    -
  • 技術
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    -
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    120 mOhm @ 10A
  • 電力消費（最大）
    170W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    -
  • 他の名前
    1242-1186
    GA10JT12-220ISO
    GA10JT12220ISO
  • 運転温度
    175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    18 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    1403pF @ 800V
  • FETタイプ
    -
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    -
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    1200V
  • 詳細な説明
    1200V 25A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    25A (Tc)

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