2024年の電子展の聴衆のための指示

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24545352N7635-GA絵GeneSiC Semiconductor

2N7635-GA

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規格
  • 部品型番
    2N7635-GA
  • メーカー/ブランド
    GeneSiC Semiconductor
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS SJT 650V 4A TO-257
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
    2N7635-GA.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    -
  • Vgs（最大）
    -
  • 技術
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-257
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    415 mOhm @ 4A
  • 電力消費（最大）
    47W (Tc)
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    TO-257-3
  • 他の名前
    1242-1146
  • 運転温度
    -55°C ~ 225°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    324pF @ 35V
  • FETタイプ
    -
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    -
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    650V
  • 詳細な説明
    650V 4A (Tc) (165°C) 47W (Tc) Through Hole TO-257
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    4A (Tc) (165°C)

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