2024年の電子展の聴衆のための指示

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20343771N1199AR絵GeneSiC Semiconductor

1N1199AR

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規格
  • 部品型番
    1N1199AR
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
  • 電圧 - ピーク逆(最大)
    Standard, Reverse Polarity
  • 電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@
    12A
  • 電圧 - ブレークダウン
    DO-4
  • シリーズ
    -
  • RoHSステータス
    Bulk
  • 逆回復時間(trrの)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • もし、F @抵抗
    -
  • 偏光
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • 他の名前
    1242-1028
  • 装着タイプ
    Chassis, Stud Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    10 Weeks
  • 製造元の部品番号
    1N1199AR
  • 拡張された説明
    Diode Standard, Reverse Polarity 50V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • ダイオード構成
    10µA @ 50V
  • 説明
    DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    1.1V @ 12A
  • 電流 - 平均整流(イオ​​)(ダイオード当たり)
    50V
  • Vrと、F @キャパシタンス
    -65°C ~ 200°C
1N1196A

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メーカー: Microsemi
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1N1200B

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1N1199R

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メーカー: Microsemi
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1N1199AR

1N1199AR

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1N1200A

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1N1197A

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1N1197

1N1197

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説明: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4

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1N1199

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1N1199A

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