2024年の電子展の聴衆のための指示

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1N1189

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規格
  • 部品型番
    1N1189
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
  • 電圧 - ピーク逆(最大)
    Standard
  • 電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@
    35A
  • 電圧 - ブレークダウン
    DO-5
  • シリーズ
    -
  • RoHSステータス
    Bulk
  • 逆回復時間(trrの)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • もし、F @抵抗
    -
  • 偏光
    DO-203AB, DO-5, Stud
  • 他の名前
    1N1189GN
  • 装着タイプ
    Chassis, Stud Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    10 Weeks
  • 製造元の部品番号
    1N1189
  • 拡張された説明
    Diode Standard 600V 35A Chassis, Stud Mount DO-5
  • ダイオード構成
    10µA @ 50V
  • 説明
    DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    1.2V @ 35A
  • 電流 - 平均整流(イオ​​)(ダイオード当たり)
    600V
  • Vrと、F @キャパシタンス
    -65°C ~ 190°C
1N1187R

1N1187R

説明: DIODE GEN PURP REV 300V 35A DO5

メーカー: GeneSiC Semiconductor
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1N1188A

1N1188A

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メーカー: Microsemi
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1N1189R

1N1189R

説明: DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5

メーカー: GeneSiC Semiconductor
在庫あり
1N1188A

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説明: DIODE GEN PURP 400V 40A DO5

メーカー: GeneSiC Semiconductor
在庫あり
1N1190

1N1190

説明: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

メーカー: GeneSiC Semiconductor
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1N1188AR

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メーカー: Microsemi
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説明: DIODE GEN PURP 600V 40A DO5

メーカー: GeneSiC Semiconductor
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メーカー: GeneSiC Semiconductor
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メーカー: GeneSiC Semiconductor
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