2024年の電子展の聴衆のための指示

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3355649FQPF8N80CYDTU絵Fairchild/ON Semiconductor

FQPF8N80CYDTU

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規格
  • 部品型番
    FQPF8N80CYDTU
  • メーカー/ブランド
    Fairchild (onsemi)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    FQPF8N80CYDTU.pdf
  • 電圧 - テスト
    2050pF @ 25V
  • 電圧 - ブレークダウン
    TO-220F-3 (Y-Forming)
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    1.55 Ohm @ 4A, 10V
  • Vgs（最大）
    10V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • シリーズ
    QFET®
  • RoHSステータス
    Tube
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    8A (Tc)
  • 偏光
    TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    23 Weeks
  • 製造元の部品番号
    FQPF8N80CYDTU
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    45nC @ 10V
  • IGBTタイプ
    ±30V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    5V @ 250µA
  • FET特長
    N-Channel
  • 拡張された説明
    N-Channel 800V 8A (Tc) 59W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    -
  • 説明
    MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    800V
  • 静電容量比
    59W (Tc)

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