2024年の電子展の聴衆のための指示

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2316871FDD13AN06A0_F085絵Fairchild/ON Semiconductor

FDD13AN06A0_F085

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規格
  • 部品型番
    FDD13AN06A0_F085
  • メーカー/ブランド
    Fairchild (onsemi)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    FDD13AN06A0_F085.pdf
  • 電圧 - テスト
    1350pF @ 25V
  • 電圧 - ブレークダウン
    TO-252AA
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    13.5 mOhm @ 50A, 10V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • シリーズ
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • RoHSステータス
    Tube
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    9.9A (Ta), 50A (Tc)
  • 偏光
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 製造元の部品番号
    FDD13AN06A0_F085
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    29nC @ 10V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    4V @ 250µA
  • FET特長
    N-Channel
  • 拡張された説明
    N-Channel 60V 9.9A (Ta), 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    -
  • 説明
    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    60V
  • 静電容量比
    115W (Tc)

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説明: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

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FDD120AN15A0-F085

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説明: MOSFET N-CH 60V 45A DPAK

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FDD14AN06LA0

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説明: MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK

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