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SI8230BD-D-IS3R

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規格
  • 部品型番
    SI8230BD-D-IS3R
  • メーカー/ブランド
    Energy Micro (Silicon Labs)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM CREEP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SI8230BD-D-IS3R.pdf
  • 電源電圧 -
    6.5 V ~ 24 V
  • 電圧 - 絶縁
    5000Vrms
  • 電圧 - フォワード（Vf）（標準）
    -
  • 技術
    Capacitive Coupling
  • サプライヤデバイスパッケージ
    14-SOIC
  • シリーズ
    Automotive, AEC-Q100
  • 立上り/立下り時間（Typ）
    12ns, 12ns
  • パルス幅歪み（最大）
    5.6ns
  • 伝播遅延tpLH / tpHL（最大）
    60ns, 60ns
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    14-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 運転温度
    -40°C ~ 125°C
  • チャネル数
    2
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メーカーの標準リードタイム
    6 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 2 Channel 14-SOIC
  • 電流 - ピーク出力
    4A
  • 電流 - 出力高、低
    2A, 4A
  • コモンモード過渡耐性（最小）
    45kV/µs
  • 承認
    CQC, CSA, UR, VDE

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