2024年の電子展の聴衆のための指示

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VS-EMG050J60N

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規格
  • 部品型番
    VS-EMG050J60N
  • メーカー/ブランド
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT 600V 88A 338W EMIPAK2
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    VS-EMG050J60N.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    600V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2.1V @ 15V, 50A
  • サプライヤデバイスパッケージ
    EMIPAK2
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    338W
  • パッケージ/ケース
    EMIPAK2
  • 他の名前
    VSEMG050J60N
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • NTCサーミスタ
    Yes
  • 装着タイプ
    Chassis Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（量Cies）@ Vceは
    9.5nF @ 30V
  • 入力
    Standard
  • IGBTタイプ
    -
  • 詳細な説明
    IGBT Module Half Bridge 600V 88A 338W Chassis Mount EMIPAK2
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    100µA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    88A
  • コンフィギュレーション
    Half Bridge

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支払い
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VS-E4PU6006L-N3

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VS-E4PU3006L-N3

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説明: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
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VS-EPU3006HN3

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メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
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VS-EPH3006HN3

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VS-EMF050J60U

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VS-EBU15006HF4

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VS-EPH3006L-N3

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VS-E4PU3006LHN3

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説明: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

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VS-EBU15006-F4

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説明: DIODE GP 600V 150A POWERTAB

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VS-E4TU2006FP-N3

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説明: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220-2

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
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VS-EPH3006-N3

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説明: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC

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VS-ENQ030L120S

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説明: IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B

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VS-EPU3006-N3

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説明: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC

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VS-EPH3006-F3

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説明: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC

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VS-EPU3006-F3

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VS-EBU8006HF4

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説明: DIODE GEN PURP 600V 80A POWERTAB

メーカー: Vishay Semiconductor Diodes Division
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RFQ
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