2024年の電子展の聴衆のための指示

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422590SIZ322DT-T1-GE3絵Electro-Films (EFI) / Vishay

SIZ322DT-T1-GE3

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規格
  • 部品型番
    SIZ322DT-T1-GE3
  • メーカー/ブランド
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SIZ322DT-T1-GE3.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.4V @ 250µA
  • サプライヤデバイスパッケージ
    8-Power33 (3x3)
  • シリーズ
    TrenchFET® Gen IV
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    6.35 mOhm @ 15A, 10V
  • 電力 - 最大
    16.7W (Tc)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    8-PowerWDFN
  • 他の名前
    SIZ322DT-T1-GE3TR
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    32 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    950pF @ 12.5V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    20.1nC @ 10V
  • FETタイプ
    2 N-Channel (Dual)
  • FET特長
    Standard
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    25V
  • 詳細な説明
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 30A (Tc) 16.7W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
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