2024年の電子展の聴衆のための指示

今すぐあなたの時間を予約してください！

数回クリックして座席を予約し、ブースチケットを入手してください！

ホールC5ホール220ブース

事前に登録します

2024年の電子展の聴衆のための指示
あなたは皆サインアップしました！ 予約していただきありがとうございます！
予約を確認した後、メールでブースチケットをお送りします。
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > SIS430DN-T1-GE3
問い合わせ/注文 (0)
日本語
日本語
5065086SIS430DN-T1-GE3絵Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS430DN-T1-GE3

引き合い

連絡先情報を使用して必要なすべてのフィールドを完成させてください。「RFQを送信」をクリックしてください。すぐにメールでお問い合わせください。または私たちにメールしてください：info@ftcelectronics.com

参考価格（USD）

在庫あり
3000+
$0.499
オンライン問い合わせ
規格
  • 部品型番
    SIS430DN-T1-GE3
  • メーカー/ブランド
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SIS430DN-T1-GE3.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.5V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    PowerPAK® 1212-8
  • シリーズ
    TrenchFET®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    5.1 mOhm @ 20A, 10V
  • 電力消費（最大）
    3.8W (Ta), 52W (Tc)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    PowerPAK® 1212-8
  • 他の名前
    SIS430DN-T1-GE3-ND
    SIS430DN-T1-GE3TR
    SIS430DNT1GE3
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    1600pF @ 12.5V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    40nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4.5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    25V
  • 詳細な説明
    N-Channel 25V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    35A (Tc)

Kioxiaは11月22日に上場承認を受け、市場価値が50億ドルに達す...

11/21/2024

Tower Semiconductorの最新のシリコン光プラットフォームは、1....

11/20/2024

業界はゆっくりと回復します。エピタキシャルサプライヤーIQEは...

11/19/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

11/19/2024

The core value and future development trend of passive comp...

11/18/2024

サプライヤー：多数のRTX 50シリーズGPUコンポーネントが12月に...

11/18/2024

台湾、中国の半導体の出力値は今年22％増加して5.3兆ドルになり...

11/17/2024

OLEDパネルの生産を拡大するLGディスプレイは、ベトナムにさら...

11/15/2024

Amazonは、カスタマイズされたAIチップを作成し、Nvidiaへの依...

11/14/2024

ペガトロンの第3四半期の純利益は4296億ドルで、四半期ごとの減...

11/13/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

11/13/2024

韓国はトランプの脅威に対抗するためにチップ法を制定する予定です

11/13/2024
配送
支払い
「SIS430DN-T1-GE3」関連製品は次のとおりです。
SIS435DNT-T1-GE3

SIS435DNT-T1-GE3

説明: MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
RFQ
SIS443DN-T1-GE3

SIS443DN-T1-GE3

説明: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
RFQ
SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

説明: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
RFQ
SIS415DNT-T1-GE3

SIS415DNT-T1-GE3

説明: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
RFQ
SIS436DN-T1-GE3

SIS436DN-T1-GE3

説明: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
RFQ
SIS424DN-T1-GE3

SIS424DN-T1-GE3

説明: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
RFQ
SIS439DNT-T1-GE3

SIS439DNT-T1-GE3

説明: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
RFQ
SIS426DN-T1-GE3

SIS426DN-T1-GE3

説明: MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
RFQ
SIS444DN-T1-GE3

SIS444DN-T1-GE3

説明: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
RFQ
SIS414DN-T1-GE3

SIS414DN-T1-GE3

説明: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
RFQ
SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3

説明: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
RFQ
SIS447DN-T1-GE3

SIS447DN-T1-GE3

説明: MOSFET P-CH 20V 18A POWERPAK1212

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
RFQ
SIS448DN-T1-GE3

SIS448DN-T1-GE3

説明: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
RFQ
SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

説明: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
RFQ
SIS452DN-T1-GE3

SIS452DN-T1-GE3

説明: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
RFQ
SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

説明: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
RFQ
SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3

説明: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
RFQ
SIS429DNT-T1-GE3

SIS429DNT-T1-GE3

説明: MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
RFQ
SIS407DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

説明: MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
RFQ
SIS410DN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3

説明: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
RFQ
唯一の公開オープンマーケットディストリビューターとして、私たちはグローバルアクセス、製造業界の専門知識、および実証済みの品質のユニークな組み合わせを持っています。これにより、電子機器コンポーネントソーシングと在庫管理向けのカスタマイズされたエンドツーエンドのサプライチェーンソリューションを作成できます。
フォロー
利用規約侵害ポリシー引用を要求私たちについてお問い合わせサイトマップ

言語を選択してください

空白スペースをクリックして終了します