2024年の電子展の聴衆のための指示

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SIHU3N50DA-GE3

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規格
  • 部品型番
    SIHU3N50DA-GE3
  • メーカー/ブランド
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
  • 仕様書
    SIHU3N50DA-GE3.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    4.5V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±30V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    IPAK (TO-251)
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    3.2 Ohm @ 1.5A, 10V
  • 電力消費（最大）
    69W (Tc)
  • パッケージ/ケース
    TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • メーカーの標準リードタイム
    18 Weeks
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    177pF @ 100V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    12nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    500V
  • 詳細な説明
    N-Channel 500V 3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    3A (Tc)

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