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5192891SIHG11N80E-GE3絵Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHG11N80E-GE3

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規格
  • 部品型番
    SIHG11N80E-GE3
  • メーカー/ブランド
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SIHG11N80E-GE3.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    4V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±30V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-247AC
  • シリーズ
    E
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    440 mOhm @ 5.5A, 10V
  • 電力消費（最大）
    179W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    1670pF @ 100V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    88nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    800V
  • 詳細な説明
    N-Channel 800V 12A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC
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