2024年の電子展の聴衆のための指示

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SIHB12N60ET5-GE3絵

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHB12N60ET5-GE3

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部品型番

SIHB12N60ET5-GE3
メーカー/ブランド

Electro-Films (EFI) / Vishay
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説明

MOSFET N-CH 600V 12A TO263
フリーステータス/ RoHS状態
同上@ VGS（TH）（最大）

4V @ 250µA
Vgs（最大）

±30V
技術

MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ

TO-263 (D²Pak)
シリーズ

E
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）

380 mOhm @ 6A, 10V
電力消費（最大）

147W (Tc)
パッケージング

Bulk
パッケージ/ケース

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
運転温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ

Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds

937pF @ 100V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs

58nC @ 10V
FETタイプ

N-Channel
FET特長

-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン

600V
詳細な説明

N-Channel 600V 12A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）

12A (Tc)

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