2024年の電子展の聴衆のための指示

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2074005SIDR668DP-T1-GE3絵Electro-Films (EFI) / Vishay

SIDR668DP-T1-GE3

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規格
  • 部品型番
    SIDR668DP-T1-GE3
  • メーカー/ブランド
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 100V
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SIDR668DP-T1-GE3.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    3.4V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    PowerPAK® SO-8DC
  • シリーズ
    TrenchFET® Gen IV
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    4.8 mOhm @ 20A, 10V
  • 電力消費（最大）
    6.25W (Ta), 125W (Tc)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    PowerPAK® SO-8
  • 他の名前
    SIDR668DP-T1-GE3TR
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    32 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    5400pF @ 50V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    108nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    7.5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    100V
  • 詳細な説明
    N-Channel 100V 23.2A (Ta), 95A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    23.2A (Ta), 95A (Tc)

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「SIDR668DP-T1-GE3」関連製品は次のとおりです。
SIDV5545-20

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説明: DISPLAY PROGRAMMABLE

メーカー: OSRAM Opto Semiconductors, Inc.
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SIDC59D170HX1SA2

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説明: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER

メーカー: International Rectifier (Infineon Technologies)
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SIDC81D120F6X1SA1

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説明: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

メーカー: International Rectifier (Infineon Technologies)
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SIDR140DP-T1-GE3

SIDR140DP-T1-GE3

説明: MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIDR402DP-T1-GE3

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説明: MOSFET N-CHAN 40V PPSO-8DC

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIDR610DP-T1-GE3

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説明: MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIDR392DP-T1-GE3

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説明: MOSFET N-CHAN 30V

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIDC73D170E6X1SA2

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説明: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER

メーカー: International Rectifier (Infineon Technologies)
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SIDR870ADP-T1-GE3

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説明: MOSFET N-CH 100V 95A SO-8

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIDR680DP-T1-GE3

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説明: MOSFET N-CH 80V

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIDC56D60E6X1SA1

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説明: DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER

メーカー: International Rectifier (Infineon Technologies)
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SIDC81D60E6X1SA3

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説明: DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER

メーカー: International Rectifier (Infineon Technologies)
在庫あり
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SIDC81D120H6X1SA2

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説明: DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER

メーカー: International Rectifier (Infineon Technologies)
在庫あり
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SIDR622DP-T1-GE3

SIDR622DP-T1-GE3

説明: MOSFET N-CHAN 150V

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIDC81D120E6X1SA4

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説明: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

メーカー: International Rectifier (Infineon Technologies)
在庫あり
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SIDR626DP-T1-GE3

SIDR626DP-T1-GE3

説明: MOSFET N-CHAN 60V

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIDEGIG-GUITAREVM

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説明: EVALUATION MODULE

メーカー: Luminary Micro / Texas Instruments
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SIDR638DP-T1-GE3

SIDR638DP-T1-GE3

説明: MOSFET N-CH 40V 100A SO-8

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIDC78D170HX1SA1

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説明: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER

メーカー: International Rectifier (Infineon Technologies)
在庫あり
RFQ
SIDC85D170HX1SA2

SIDC85D170HX1SA2

説明: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER

メーカー: International Rectifier (Infineon Technologies)
在庫あり
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