2024年の電子展の聴衆のための指示

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2072725SI8824EDB-T2-E1絵Electro-Films (EFI) / Vishay

SI8824EDB-T2-E1

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規格
  • 部品型番
    SI8824EDB-T2-E1
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
  • 同上@ VGS(TH)(最大)
    800mV @ 250µA
  • Vgs(最大)
    ±5V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    4-Microfoot
  • シリーズ
    TrenchFET®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、(最大)
    75 mOhm @ 1A, 4.5V
  • 電力消費(最大)
    500mW (Ta)
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    4-XFBGA
  • 他の名前
    SI8824EDB-T2-E1CT
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    46 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
    400pF @ 10V
  • ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs
    6nC @ 4.5V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
    1.2V, 4.5V
  • ソース電圧(VDSS)にドレイン
    20V
  • 詳細な説明
    N-Channel 20V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
    -
SI88321EC-IS

SI88321EC-IS

説明: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 20SOIC

メーカー: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI88243EC-ISR

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メーカー: Energy Micro (Silicon Labs)
在庫あり
SI88244EC-ISR

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説明: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

メーカー: Energy Micro (Silicon Labs)
在庫あり
SI88320EC-ISR

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メーカー: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI88320EC-IS

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メーカー: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI88243ED-ISR

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説明: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

メーカー: Silicon Labs
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SI88320BC-IS

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メーカー: Energy Micro (Silicon Labs)
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メーカー: Energy Micro (Silicon Labs)
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メーカー: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI88322BC-ISR

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メーカー: Energy Micro (Silicon Labs)
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